아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | 1206-8 ChipFET™ |
연속: | TrenchFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 33 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
전력 소비 (최대): | 1.3W (Ta) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-SMD, Flat Lead |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 21nC @ 4.5V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 8V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 5.2A (Ta) |