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STD3NK80ZT4

STD3NK80ZT4
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쇼핑 프로세스

아이디 @ VGS (일) (최대):4.5V @ 50µA
Vgs (최대):±30V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:D-Pak
연속:SuperMESH™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):4.5 Ohm @ 1.25A, 10V
전력 소비 (최대):70W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:485pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:19nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):800V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):2.5A (Tc)
A
A****
RS
5.0
Jun/26/2020
Good product, fast shipping, seller recomended
I
I***n
RU
5.0
Jun/25/2020
Super.
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IT
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Aug/18/2020
perfetto


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