PSMN2R6-60PSQ

Nexperia
MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
면제를 통한 무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
PSMN2R6-60PSQ.pdf

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아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 1mA
Vgs (최대):	±20V
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	TO-220AB
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	2.6 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대):	326W (Tc)
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-220-3
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	7629pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	140nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):	10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):	60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	150A (Tc)