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JAN1N5806URS

Microsemi
DIODE GEN PURP 150V 1A APKG
납 함유 / RoHS 비 준수
이산 반도체 제품
JAN1N5806URS.pdf

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전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우:	875mV @ 1A
전압 - 역방향 (Vr) (최대):	150V
제조업체 장치 패키지:	A-MELF
속도:	Fast Recovery = 200mA (Io)
연속:	Military, MIL-PRF-19500/477
역 회복 시간 (trr):	25ns
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	SQ-MELF, A
작동 온도 - 정션:	-65°C ~ 175°C
실장 형:	Surface Mount
다이오드 유형:	Standard
전류 - 누설 Vr에서 역방향:	1µA @ 150V
전류 - 평균 정류 (Io):	1A
VR, F @ 용량:	25pF @ 10V, 1MHz

당신이 주문하지 않은 잘못된 구성 요소가 있다면, 우리는 누가이 문제에 대해 책임을지게 될 것인지 연구 할 것입니다.

그것이 우리의 경우, 우리는 잘못된 작곡을받은 후 교환 상품에 대한 올바른 구성 요소를 배송합니다.

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