APTM50DUM38TG

Microsemi
MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
APTM50DUM38TG.pdf

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아이디 @ VGS (일) (최대):	5V @ 5mA
제조업체 장치 패키지:	SP4
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	45 mOhm @ 45A, 10V
전력 - 최대:	694W
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	SP4
작동 온도:	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Chassis Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	11200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	246nC @ 10V
FET 유형:	2 N-Channel (Dual)
FET 특징:	Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss):	500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	90A