| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | ISOTOP® |
| 연속: | POWER MOS 8™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100 mOhm @ 28A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 357W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, miniBLOC |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Chassis Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 8800pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 500V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 38A |
APT37M100B2
MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX
APT39F60J
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
APT38F80B2
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
APT39M60J
MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227
APT38N60SC6
MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK
APT38F50J
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
APT38F80L
MOSFET N-CH 800V 41A TO-264
APT4012BVR
MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
APT37M100L
MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
APT38N60BC6
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
IMX17T108
TRANS 2NPN 50V 0.5A 6SMT
SS9012HTA
TRANS PNP 20V 0.5A TO-92
BLP05H6250XRY
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
MUBW50-17T8
MODULE IGBT CBI E3
ATS-10F-137-C2-R0
HEATSINK 25X25X10MM L-TAB T766
ATS-01C-119-C1-R0
HEATSINK 45X45X20MM XCUT
ATS-14C-67-C1-R0
HEATSINK 45X45X10MM L-TAB
ATS-15B-81-C3-R0
HEATSINK 30X30X20MM R-TAB T412
ATS-15E-18-C1-R0
HEATSINK 54X54X15MM XCUT
