IRF8313PBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
IRF8313PBF.pdf

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아이디 @ VGS (일) (최대):	2.35V @ 25µA
제조업체 장치 패키지:	8-SO
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
전력 - 최대:	2W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	760pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	90nC @ 4.5V
FET 유형:	2 N-Channel (Dual)
FET 특징:	Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):	30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	9.7A