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아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.45V @ 250µA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | DIRECTFET™ ST |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 4.5 mOhm @ 18A, 10V |
전력 소비 (최대): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | DirectFET™ Isometric ST |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2420pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 27nC @ 4.5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 18A (Ta), 81A (Tc) |