가격 | |
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2500 | $0.169 |
5000 | $0.158 |
12500 | $0.148 |
25000 | $0.14 |
62500 | $0.137 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 30µA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO252-3 |
연속: | CoolMOS™ CE |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 3 Ohm @ 400mA, 13V |
전력 소비 (최대): | 18W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 84pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4.3nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 13V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 500V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 1.7A (Tc) |