IXYN50N170CV1

IXYS Corporation
IGBT 1700V 120A SOT227B
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
IXYN50N170CV1.pdf

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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	1700V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	3.7V @ 15V, 50A
시험 조건:	850V, 50A, 1 Ohm, 15V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	22ns/236ns
에너지 전환:	8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
제조업체 장치 패키지:	SOT-227B
연속:	XPT™
역 회복 시간 (trr):	255ns
전력 - 최대:	880W
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	SOT-227-4, miniBLOC
작동 온도:	-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:	Chassis Mount
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	-
게이트 충전:	260nC
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	485A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	120A