RFD8P05SM

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아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 250µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	TO-252AA
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	300 mOhm @ 8A, 10V
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
실장 형:	Surface Mount
수분 민감도 (MSL):	1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:	Contains lead / RoHS non-compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	80nC @ 20V
FET 유형:	P-Channel
FET 특징:	-
소스 전압에 드레인 (Vdss):	50V
상세 설명:	P-Channel 50V 8A (Tc) Surface Mount TO-252AA
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	8A (Tc)

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