가격 | |
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1 | $1.18 |
10 | $1.053 |
100 | $0.821 |
500 | $0.678 |
1000 | $0.536 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 4V @ 250µA |
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Vgs (최대): | ±30V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220-3 |
연속: | QFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 200 mOhm @ 7.5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 100W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
FET 유형: | P-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 120V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 15A (Tc) |