AON6796

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아이디 @ VGS (일) (최대):	1.9V @ 250µA
Vgs (최대):	±12V
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	8-DFN (5x6)
연속:	SRFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	3.9 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대):	6.2W (Ta), 31W (Tc)
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	8-PowerSMD, Flat Leads
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	1350pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	23nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):	4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):	30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	32A (Ta), 70A (Tc)