아이디 @ VGS (일) (최대): | 1.01V @ 1µA |
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제조업체 장치 패키지: | 8-PDIP |
연속: | EPAD® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 500 Ohm @ 5V |
전력 - 최대: | 600mW |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
작동 온도: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | - |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
FET 특징: | Standard |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 10V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | - |