아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
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제조업체 장치 패키지: | 6-WDFN (2x2) |
연속: | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 68 mOhm @ 2A, 4.5V |
전력 - 최대: | 710mW |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 6-WDFN Exposed Pad |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 355pF @ 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 7nC @ 4.5V |
FET 유형: | N and P-Channel |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 20V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 2.6A, 2.2A |