| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지: | I-Pak |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| 전력 소비 (최대): | 1.41W (Ta), 79W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형: | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2865pF @ 12V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 48nC @ 11.5V |
| FET 유형: | N-Channel |
| FET 특징: | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 12.7A (Ta), 95A (Tc) |
NTD4804NA-1G
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
NTD4806N
NTD4806N-1G
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
NTD4805N
NTD4806N-35G
MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
NTD4805NT4G
MOSFET N-CH 30V 12.7A DPAK
NTD4804NT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
NTD4805N-35G
MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK
NTD4804NAT4G
MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK
NTD4804NA-35G
MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
BC556ABU
TRANS PNP 65V 0.1A TO-92
TK8R2A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
IXTH20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
IRL3303
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
FGL40N120ANTU
IGBT 1200V 64A 500W TO264
ATS-08B-61-C1-R0
HEATSINK 40X40X10MM L-TAB
ATS-21H-43-C3-R0
HEATSINK 25X25X10MM L-TAB T412
ATS-12D-62-C1-R0
HEATSINK 40X40X15MM L-TAB
ATS-21B-118-C3-R0
HEATSINK 45X45X15MM XCUT T412
ATS-21B-83-C1-R0
HEATSINK 30X30X30MM R-TAB
