50MT060WH

Vishay / Semiconductor - Diodes Division
IGBT WARP 600V 114A MTP
납 함유 / RoHS 비 준수
이산 반도체 제품
50MT060WH.pdf

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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	3.2V @ 15V, 100A
제조업체 장치 패키지:	12-MTP
연속:	-
전력 - 최대:	658W
패키지 / 케이스:	12-MTP Module
작동 온도:	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC 써미스터:	No
실장 형:	Chassis Mount
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가:	7.1nF @ 30V
입력:	Standard
IGBT 유형:	PT
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	400µA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	114A
구성:	Half Bridge