SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
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아이디 @ VGS (일) (최대):	1V @ 1mA
제조업체 장치 패키지:	ES6 (1.6x1.6)
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	8 Ohm @ 50mA, 4V
전력 - 최대:	150mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	SOT-563, SOT-666
작동 온도:	150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	12.2pF @ 3V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	-
FET 유형:	2 P-Channel (Dual)
FET 특징:	Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	100mA