RN1901FETE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	300mV @ 250µA, 5mA
트랜지스터 유형:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지:	ES6
연속:	-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):	4.7k
저항기 -베이스 (R1) (옴):	4.7k
전력 - 최대:	100mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	SOT-563, SOT-666
실장 형:	Surface Mount
주파수 - 전환:	250MHz
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	30 @ 10mA, 5V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	100nA (ICBO)
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	100mA