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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
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IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 300mV @ 10mA, 100mA |
트랜지스터 유형: | 2 NPN (Dual) |
제조업체 장치 패키지: | SSMINI6-F1 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 125mW |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | SOT-563, SOT-666 |
작동 온도: | 125°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
주파수 - 전환: | 150MHz |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 180 @ 2mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 100µA |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 100mA |