전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 50V |
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IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 600mV @ 30mA, 300mA |
트랜지스터 유형: | NPN |
제조업체 장치 패키지: | TO-92B-B1 |
연속: | - |
전력 - 최대: | 625mW |
포장: | Cut Tape (CT) |
패키지 / 케이스: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
주파수 - 전환: | 200MHz |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 120 @ 150mA, 10V |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | 500mA |