가격 | |
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1500 | $0.29 |
3000 | $0.263 |
7500 | $0.245 |
10500 | $0.236 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.1V @ 1mA |
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Vgs (최대): | ±10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | LFPAK33 |
연속: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 34 mOhm @ 5A, 10V |
전력 소비 (최대): | 79W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2844pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 24.7nC @ 5V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 100V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 29A (Tc) |