| 전압 - 공급: | 2.5 V ~ 2.7 V |
|---|---|
| 제조업체 장치 패키지: | 60-FBGA (10x12.5) |
| 속도: | 200MHz |
| 연속: | - |
| 포장: | Tray |
| 패키지 / 케이스: | 60-TFBGA |
| 작동 온도: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 512Mb (32M x 16) |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 인터페이스: | Parallel |
MT46V32M16BN-5B:F TR
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V32M16BN-5B
MT46V32M16BN-5B L IT:F
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V32M16BN-5B:F
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V32M16BN-5B:C TR
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V256M4TG-6T:A TR
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 66TSOP
MT46V32M16BN-5B:C
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
MT46V256M4TG-75:A
IC SDRAM 1GBIT 133MHZ 66TSOP
MT46V256M4TG-75:A TR
IC SDRAM 1GBIT 133MHZ 66TSOP
MT46V2M32
ERJ-6ENF8871V
RES SMD 8.87K OHM 1% 1/8W 0805
ERJ-8ENF2432V
RES SMD 24.3K OHM 1% 1/4W 1206
TNPW06032K00BXEN
RES SMD 2K OHM 0.1% 1/10W 0603
RMCF1206FT6M80
RES SMD 6.8M OHM 1% 1/4W 1206
RGC0805FTD200K
RES SMD 200K OHM 1% 1/8W 0805
CRCW04023R01FKTD
RES SMD 3.01 OHM 1% 1/16W 0402
CRG0201F40R2
RES SMD 40.2 OHM 1% 1/20W 0201
MCS04020C1431FE000
RES SMD 1.43K OHM 1% 1/10W 0402
CRCW0603332KDHEAP
RES SMD 332K OHM 0.5% 1/10W 0603
RNCF1206DTC17K4
RES SMD 17.4K OHM 0.5% 1/3W 1206
