전압 - 공급: | 10 V ~ 20 V |
---|---|
제조업체 장치 패키지: | 8-SOIC |
연속: | - |
상승 / 하강 시간 (일반): | 150ns, 50ns |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
입력 주파수: | 2 |
실장 형: | Surface Mount |
논리 전압 - VIL, VIH: | 0.8V, 2.2V |
입력 유형: | Non-Inverting |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩): | 600V |
게이트 유형: | IGBT, N-Channel MOSFET |
구동 구성: | Half-Bridge |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크): | 200mA, 350mA |
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대): | Independent |