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아이디 @ VGS (일) (최대): | 1V @ 250µA |
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제조업체 장치 패키지: | 8-SO |
연속: | HEXFET® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
전력 - 최대: | 2.4W |
포장: | Original-Reel® |
패키지 / 케이스: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 780pF @ 25V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
FET 유형: | 2 N-Channel (Dual) |
FET 특징: | Logic Level Gate |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 55V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 5.1A |