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IRF5851TR

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IRF5851TR의 가격 및 리드 타임은 수량, 재고 및 창고 위치에 따라 달라집니다. 오늘 문의하시면 판매 팀에서 곧 견적을 보내 드리겠습니다.
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쇼핑 프로세스

아이디 @ VGS (일) (최대):1.25V @ 250µA
제조업체 장치 패키지:6-TSOP
연속:HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
전력 - 최대:960mW
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:400pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:6nC @ 4.5V
FET 유형:N and P-Channel
FET 특징:Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):2.7A, 2.2A


당신이 주문하지 않은 잘못된 구성 요소가 있다면, 우리는 누가이 문제에 대해 책임을지게 될 것인지 연구 할 것입니다.
그것이 우리의 경우, 우리는 잘못된 작곡을받은 후 교환 상품에 대한 올바른 구성 요소를 배송합니다.
그것이 당신의 경우, 고객은 그것에 대해 책임을 져야합니다. 자세한 내용은 고객 서비스 또는 영업에 문의하십시오.

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