부품 번호 IPP50R350CPHKSA1이 부품은 공용 부품입니까? : 예
출하 국 : 홍콩 또는 싱가포르 창고
동일한 모델에는 여러 개의 배치가있을 수 있으며 이미지는 참조 용입니다.
ECAD 모델 : 연락을 원하시면 연락주세요.
이메일 : sales@zeanoit.com
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5V @ 370µA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PG-TO220-3-1 |
연속: | CoolMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 350 mOhm @ 5.6A, 10V |
전력 소비 (최대): | 89W (Tc) |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 1020pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 500V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 10A (Tc) |