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아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.9V @ 1.2mA |
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과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | TO-220AB |
연속: | CoolMOS™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100 mOhm @ 18A, 10V |
전력 소비 (최대): | - |
포장: | Tube |
패키지 / 케이스: | TO-220-3 |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Through Hole |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 2800pF @ 100V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 600V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 35A (Tc) |