FQD2N60CTF_F080

Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
FQD2N60CTF_F080.pdf

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아이디 @ VGS (일) (최대):	4V @ 250µA
과학 기술:	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:	D-Pak
연속:	QFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	4.7 Ohm @ 950mA, 10V
전력 소비 (최대):	2.5W (Ta), 44W (Tc)
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	235pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	12nC @ 10V
FET 유형:	N-Channel
FET 특징:	-
소스 전압에 드레인 (Vdss):	600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	1.9A (Tc)