FGD3N60LSDTM

Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 6A 40W DPAK
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	600V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대):	1.5V @ 10V, 3A
시험 조건:	480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Td (온 / 오프) @ 25 ° C:	40ns/600ns
에너지 전환:	250µJ (on), 1mJ (off)
제조업체 장치 패키지:	D-Pak
연속:	-
역 회복 시간 (trr):	234ns
전력 - 최대:	40W
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도:	-
실장 형:	Surface Mount
입력 유형:	Standard
IGBT 유형:	-
게이트 충전:	12.5nC
전류 - 콜렉터 펄스 (ICM):	25A
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	6A