아이디 @ VGS (일) (최대): | 2.5V @ 250µA |
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Vgs (최대): | ±20V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지: | PowerPAK® SO-8 |
연속: | SkyFET®, TrenchFET® Gen III |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
전력 소비 (최대): | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
포장: | Tape & Reel (TR) |
패키지 / 케이스: | PowerPAK® SO-8 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 4.735nF @ 15V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 135nC @ 10V |
FET 유형: | N-Channel |
FET 특징: | Schottky Diode (Body) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | 30V |
상세 설명: | N-Channel 30V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 40.6A (Ta), 60A (Tc) |