EPC2105ENG

EPC
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
EPC2105ENG.pdf

우리는 EPC EPC2105ENG을 공급할 수 있으며 요청 견적 양식을 사용하여 EPC2105ENG pirce, EPC Datasheet PDF 및 lead time.Zeanoit.com을 요청할 수 있습니다 .Zeanoit.com은 전문 전자 부품 유통 업체입니다. 사용 가능한 전자 부품의 3 백만 건 이상의 품목은 짧은 납기로 납품 할 수 있으며 부품 수 EPC2105ENG을 포함 할 수있는 즉시 납품을 위해 250,000 부품 수의 전자 부품 재고가 제공됩니다. 수량에 따라 EPC2105ENG의 가격 및 리드 타임 필수, 가용성 및 창고 위치.

Request Quote

규격
리뷰
지불
배송
포장

아이디 @ VGS (일) (최대):	2.5V @ 2.5mA
제조업체 장치 패키지:	Die
연속:	eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	14.5 mOhm @ 20A, 5V
전력 - 최대:	-
포장:	Bulk
패키지 / 케이스:	Die
작동 온도:	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	300pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	2.5nC @ 5V
FET 유형:	2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:	GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss):	80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	9.5A, 38A