ZXMN2AM832TA

Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
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아이디 @ VGS (일) (최대):	700mV @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지:	8-MLP (3x2)
연속:	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	120 mOhm @ 4A, 4.5V
전력 - 최대:	1.7W
포장:	Cut Tape (CT)
패키지 / 케이스:	8-VDFN Exposed Pad
작동 온도:	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	299pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	3.1nC @ 4.5V
FET 유형:	2 N-Channel (Dual)
FET 특징:	Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss):	20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	2.9A