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NTMFS4936NCT1G

NTMFS4936NCT1G
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쇼핑 프로세스

아이디 @ VGS (일) (최대):2.2V @ 250µA
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3.8 mOhm @ 30A, 10V
전력 소비 (최대):920mW (Ta), 43W (Tc)
포장:Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:8-PowerTDFN, 5 Leads
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:3044pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:43nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
소스 전압에 드레인 (Vdss):30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):11.6A (Ta), 79A (Tc)


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