NSB9435T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
NSB9435T1G.pdf

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전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대):	30V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대):	550mV @ 300mA, 3A
트랜지스터 유형:	PNP - Pre-Biased
제조업체 장치 패키지:	SOT-223
연속:	-
저항 - 에미 터베이스 (R2) (옴):	-
저항기 -베이스 (R1) (옴):	10k
전력 - 최대:	720mW
포장:	Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스:	TO-261-4, TO-261AA
실장 형:	Surface Mount
주파수 - 전환:	110MHz
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가:	125 @ 800mA, 1V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대):	-
전류 - 콜렉터 (IC) (최대):	3A