ALD114835SCL

Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
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가격
1	$4.09
10	$3.649
25	$3.284
100	$2.992
250	$2.70
500	$2.423
1000	$2.043
2500	$1.941

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아이디 @ VGS (일) (최대):	3.45V @ 1µA
제조업체 장치 패키지:	16-SOIC
연속:	EPAD®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	540 Ohm @ 0V
전력 - 최대:	500mW
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
작동 온도:	0°C ~ 70°C (TJ)
실장 형:	Surface Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	2.5pF @ 5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	-
FET 유형:	4 N-Channel, Matched Pair
FET 특징:	Depletion Mode
소스 전압에 드레인 (Vdss):	10.6V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	12mA, 3mA