ALD1110EPAL

Advanced Linear Devices, Inc.
MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
무연 / RoHS 준수
이산 반도체 제품
ALD1110EPAL.pdf

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아이디 @ VGS (일) (최대):	1.01V @ 1µA
제조업체 장치 패키지:	8-PDIP
연속:	EPAD®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):	500 Ohm @ 5V
전력 - 최대:	600mW
포장:	Tube
패키지 / 케이스:	8-DIP (0.300", 7.62mm)
작동 온도:	0°C ~ 70°C (TJ)
실장 형:	Through Hole
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:	2.5pF @ 5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:	-
FET 유형:	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 특징:	Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss):	10V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):	-